FDI8442
Производитель Номер продукта:

FDI8442

Product Overview

Производитель:

Fairchild Semiconductor

Номер детали:

FDI8442-DG

Описание:

MOSFET N-CH 40V 23A/80A I2PAK
Подробное описание:
N-Channel 40 V 23A (Ta), 80A (Tc) 254W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Инвентаризация:

6224 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13077303
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

FDI8442 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Tube
Серия
PowerTrench®
Упаковка
Tube
Состояние детали
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
23A (Ta), 80A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.9mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
235 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
12200 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
254W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-262 (I2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
197
Другие названия
2156-FDI8442-FS
FAIFSCFDI8442

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
fairchild-semiconductor

FDZ293P

MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA

fairchild-semiconductor

FDMS2506SDC

MOSFET N-CH 25V 39A/49A DLCOOL56

fairchild-semiconductor

FQD5N30TF

MOSFET N-CH 300V 4.4A DPAK

fairchild-semiconductor

FDU6030BL

MOSFET N-CH 30V 10A/42A IPAK