FDMC8327L

Производитель Номер продукта:

FDMC8327L

Product Overview

Производитель:

Fairchild Semiconductor

Номер детали:

FDMC8327L-DG

Описание:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

Подробное описание:

N-Channel 40 V 12A (Ta), 14A (Tc) 2.3W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)

Инвентаризация:

Запрос на предложение в Интернете

12946715

Запросить котировку

Количество
Минимум 1

(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов

ОТПРАВИТЬ

FDMC8327L Технические характеристики

Категория

ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET

Производитель

Упаковка

-

Серия

PowerTrench®

Статус продукта

Active

Тип полевых транзисторов

N-Channel

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Напряжение стока к источнику (Vdss)

40 V

Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C

12A (Ta), 14A (Tc)

Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)

4.5V, 10V

Rds On (макс.) @ id, vgs

9.7mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (Макс) @ Id

3V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

26 nC @ 10 V

Vgs (макс.)

±20V

Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

1850 pF @ 20 V

Функция полевых транзисторов

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

2.3W (Ta), 30W (Tc)

Рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип крепления

Surface Mount

Комплект устройства поставщика

8-MLP (3.3x3.3)

Упаковка / Чехол

8-PowerWDFN

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет

603

Другие названия

2156-FDMC8327L

ONSFSCFDMC8327L

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS

ROHS3 Compliant

Статус REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

ХИТСУС

8542.39.0001

Сертификация DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Связанные продукты

fairchild-semiconductor

FQPF5N90

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

fairchild-semiconductor

FDD6612A

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9

international-rectifier

AUIRF3805L

MOSFET N-CH 55V 160A TO262

fairchild-semiconductor

FDMS0349

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR