FDMS7580
Производитель Номер продукта:

FDMS7580

Product Overview

Производитель:

Fairchild Semiconductor

Номер детали:

FDMS7580-DG

Описание:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Подробное описание:
N-Channel 25 V 15A (Ta), 29A (Tc) 2.5W (Ta), 27W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Инвентаризация:

12000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12946528
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

FDMS7580 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
25 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
15A (Ta), 29A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
7.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1190 pF @ 13 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta), 27W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-PQFN (5x6)
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
404
Другие названия
2156-FDMS7580
FAIFSCFDMS7580

Классификация окружающей среды и экспорта

ECCN
EAR99
ХИТСУС
8542.39.0001
Сертификация DIGI
Связанные продукты
fairchild-semiconductor

FDPF55N06

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5

fairchild-semiconductor

FDP039N08B-F102

MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3

fairchild-semiconductor

FDPF16N50UT

MOSFET N-CH 500V 15A TO220F

international-rectifier

IRL60SL216

IRL60SL216 - 12V-300V N-CHANNEL