FDMS86152
Производитель Номер продукта:

FDMS86152

Product Overview

Производитель:

Fairchild Semiconductor

Номер детали:

FDMS86152-DG

Описание:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Подробное описание:
N-Channel 100 V 14A (Ta), 45A (Tc) 2.7W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Инвентаризация:

479 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12947038
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

FDMS86152 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
14A (Ta), 45A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3370 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.7W (Ta), 125W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-PQFN (5x6)
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
114
Другие названия
FAIFSCFDMS86152
2156-FDMS86152

Классификация окружающей среды и экспорта

ECCN
EAR99
ХИТСУС
8542.39.0001
Сертификация DIGI
Связанные продукты
fairchild-semiconductor

FDPF7N60NZT

MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220F

fairchild-semiconductor

FDMS7698

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

stmicroelectronics

STK30N2LLH5

MOSFET N-CH 25V 30A POLARPAK

international-rectifier

IRFBA1404PPBF

MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220