FDMS8692
Производитель Номер продукта:

FDMS8692

Product Overview

Производитель:

Fairchild Semiconductor

Номер детали:

FDMS8692-DG

Описание:

MOSFET N-CH 30V 12A/28A 8PQFN
Подробное описание:
N-Channel 30 V 12A (Ta), 28A (Tc) 2.5W (Ta), 41W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Инвентаризация:

62002 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13077428
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

FDMS8692 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
PowerTrench®
Упаковка
Bulk
Состояние детали
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
12A (Ta), 28A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
9mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1265 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta), 41W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-PQFN (5x6)
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
606
Другие названия
FAIFSCFDMS8692
2156-FDMS8692-FSTR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
harris-corporation

IRF9630

MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB

fairchild-semiconductor

FQPF3N50C

MOSFET N-CH 500V 3A TO220F

nxp-semiconductors

BUK9535-100A,127

MOSFET N-CH 100V 41A TO220AB

fairchild-semiconductor

FQPF6N70

MOSFET N-CH 700V 3.5A TO220F