Производитель Номер продукта:
FDP025N06
Product Overview
Производитель:
Fairchild Semiconductor
Номер детали:
FDP025N06-DG
Описание:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Подробное описание:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 395W (Tc) Through Hole TO-220-3
Инвентаризация:
1401 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12946582
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDP025N06 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
226 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
14885 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
395W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
119
Другие названия
FAIFSCFDP025N06
2156-FDP025N06
Классификация окружающей среды и экспорта
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8542.39.0001
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FQP6N40C
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
FDMS7660
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
IRF3709PBF
IRF3709 - 12V-300V N-CHANNEL POW