FDP3672
Производитель Номер продукта:

FDP3672

Product Overview

Производитель:

Fairchild Semiconductor

Номер детали:

FDP3672-DG

Описание:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Подробное описание:
N-Channel 105 V 5.9A (Ta), 41A (Tc) 135W (Tc) Through Hole TO-220-3

Инвентаризация:

9651 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12946356
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

FDP3672 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
105 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
5.9A (Ta), 41A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
33mOhm @ 41A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1670 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
135W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
328
Другие названия
2156-FDP3672
FAIFSCFDP3672

Классификация окружающей среды и экспорта

ECCN
EAR99
ХИТСУС
8542.39.0001
Сертификация DIGI
Связанные продукты
international-rectifier

IRF9240

HEXFET POWER MOSFET

fairchild-semiconductor

FDD6296

MOSFET N-CH 30V 15A/50A DPAK

international-rectifier

AUIRL1404ZS

MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK

fairchild-semiconductor

FDB9403L-F085

MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK