Производитель Номер продукта:
FDP39N20
Product Overview
Производитель:
Fairchild Semiconductor
Номер детали:
FDP39N20-DG
Описание:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Подробное описание:
N-Channel 200 V 39A (Tc) 251W (Tc) Through Hole TO-220-3
Инвентаризация:
500 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12946807
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDP39N20 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
UniFET™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
39A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
66mOhm @ 19.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2130 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
251W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
189
Другие названия
ONSFSCFDP39N20
2156-FDP39N20
Классификация окружающей среды и экспорта
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8542.39.0001
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDMS4435BZ
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
FQD1N60CTM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FDD6688
MOSFET N-CH 30V 84A DPAK
