FDPF5N50T
Производитель Номер продукта:

FDPF5N50T

Product Overview

Производитель:

Fairchild Semiconductor

Номер детали:

FDPF5N50T-DG

Описание:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Подробное описание:
N-Channel 500 V 5A (Tc) 28W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Инвентаризация:

55864 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12946835
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

FDPF5N50T Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
UniFET™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
640 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
28W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220F-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
485
Другие названия
2156-FDPF5N50T
FAIFSCFDPF5N50T

Классификация окружающей среды и экспорта

ECCN
EAR99
ХИТСУС
8542.39.0001
Сертификация DIGI
Связанные продукты
fairchild-semiconductor

FDS86540

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

fairchild-semiconductor

FDG312P

MOSFET P-CH 20V 1.2A SC88

fairchild-semiconductor

FDG311N

MOSFET N-CH 20V 1.9A SC88

stmicroelectronics

STE70NM60

MOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP