Производитель Номер продукта:
FDS6676AS
Product Overview
Производитель:
Fairchild Semiconductor
Номер детали:
FDS6676AS-DG
Описание:
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Подробное описание:
N-Channel 30 V 14.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Инвентаризация:
5369 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12954540
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDS6676AS Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
PowerTrench®, SyncFET™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
14.5A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2510 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOIC
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Базовый номер продукта
FDS66
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
567
Другие названия
2156-FDS6676AS
ONSFSCFDS6676AS
Классификация окружающей среды и экспорта
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8542.39.0001
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BSC005N03LS5IATMA1
TRENCH <= 40V
SI4850BDY-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 8.4A/11.3A 8SO
IRFP254
MOSFET N-CH 250V 23A TO247-3
