Производитель Номер продукта:
FDS6689S
Product Overview
Производитель:
Fairchild Semiconductor
Номер детали:
FDS6689S-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
Подробное описание:
N-Channel 30 V 16A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Инвентаризация:
1941 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12816892
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDS6689S Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
16A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5.4mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3290 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOIC
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
296
Другие названия
2156-FDS6689S-FSTR-DG
FAIFSCFDS6689S
2156-FDS6689S
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
ECH8411-TL-E
MOSFET N-CH 20V 9A 8ECH
FDP5690
MOSFET N-CH 60V 32A TO220-3
RFD4N06LSM9A
MOSFET N-CH 60V 4A TO252AA
