Производитель Номер продукта:
FDU8770
Product Overview
Производитель:
Fairchild Semiconductor
Номер детали:
FDU8770-DG
Описание:
MOSFET N-CH 25V 35A IPAK
Подробное описание:
N-Channel 25 V 35A (Tc) 115W (Tc) Through Hole IPAK
Инвентаризация:
7050 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12904323
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDU8770 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Tube
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
25 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
73 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3720 pF @ 13 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
115W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
IPAK
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
193
Другие названия
FAIFSCFDU8770
2156-FDU8770-FS
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
ZXM66P03N8TA
MOSFET P-CH 30V 6.25A 8SO
IXFX32N80Q3
MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247-3
IXFN44N50U2
MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B
