Производитель Номер продукта:
FDW262P
Product Overview
Производитель:
Fairchild Semiconductor
Номер детали:
FDW262P-DG
Описание:
MOSFET P-CH 20V 4.5A 8TSSOP
Подробное описание:
P-Channel 20 V 4.5A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Инвентаризация:
178330 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12817821
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDW262P Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4.5A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
47mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
18 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1193 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.3W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-TSSOP
Упаковка / Чехол
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
523
Другие названия
2156-FDW262P-FSTR
FAIFSCFDW262P
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
HUF76419D3ST
MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
HUF75332P3
MOSFET N-CH 55V 60A TO220-3
FDU6612A
MOSFET N-CH 30V 9.5A/30A IPAK
