FDZ451PZ
Производитель Номер продукта:

FDZ451PZ

Product Overview

Производитель:

Fairchild Semiconductor

Номер детали:

FDZ451PZ-DG

Описание:

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Подробное описание:
P-Channel 20 V 2.6A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount 4-WLCSP (0.8x0.8)

Инвентаризация:

9571 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12946461
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

FDZ451PZ Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.6A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
140mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
8.8 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
555 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
400mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
4-WLCSP (0.8x0.8)
Упаковка / Чехол
4-XFBGA, WLCSP

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
5,323
Другие названия
2156-FDZ451PZ
FAIFSCFDZ451PZ

Классификация окружающей среды и экспорта

ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
fairchild-semiconductor

FDU6N25

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4

fairchild-semiconductor

FDMS0346

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

fairchild-semiconductor

FCPF7N60YDTU

MOSFET N-CH 600V 7A TO220F-3

infineon-technologies

IPI45N06S4L08AKSA2

OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET