Производитель Номер продукта:
FQAF19N60
Product Overview
Производитель:
Fairchild Semiconductor
Номер детали:
FQAF19N60-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 11.2A TO3PF
Подробное описание:
N-Channel 600 V 11.2A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-3PF
Инвентаризация:
681 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13075927
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FQAF19N60 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Tube
Серия
QFET®
Упаковка
Tube
Состояние детали
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
11.2A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
380mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3600 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
120W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-3PF
Упаковка / Чехол
TO-3P-3 Full Pack
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
114
Другие названия
FAIFSCFQAF19N60
2156-FQAF19N60-FS
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FQPF6N50
MOSFET N-CH 500V 3.6A TO220F
FDZ202P
MOSFET P-CH 20V 5.5A 12BGA
FQI9N25CTU
MOSFET N-CH 250V 8.8A I2PAK