FQB25N33TM-F085
Производитель Номер продукта:

FQB25N33TM-F085

Product Overview

Производитель:

Fairchild Semiconductor

Номер детали:

FQB25N33TM-F085-DG

Описание:

MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 330 V 25A (Tc) 3.1W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Инвентаризация:

8000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12983095
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

FQB25N33TM-F085 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
330 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
230mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
75 nC @ 15 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2010 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.1W (Ta), 250W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
159
Другие названия
2156-FQB25N33TM-F085
ONSFSCFQB25N33TM-F085

Классификация окружающей среды и экспорта

ECCN
EAR99
ХИТСУС
8542.39.0001
Сертификация DIGI
Связанные продукты
toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3K341R,LXHF

AECQ MOSFET NCH 60V 6A SOT23F

rohm-semi

RF4L040ATTCR

PCH -60V -4A POWER, DFN2020, MOS

infineon-technologies

IAUC120N04S6L012ATMA1

IAUC120N04S6L012ATMA1

toshiba-semiconductor-and-storage

TK190U65Z,RQ

DTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZ