FQI16N25CTU
Производитель Номер продукта:

FQI16N25CTU

Product Overview

Производитель:

Fairchild Semiconductor

Номер детали:

FQI16N25CTU-DG

Описание:

MOSFET N-CH 250V 15.6A I2PAK
Подробное описание:
N-Channel 250 V 15.6A (Tc) 3.13W (Ta), 139W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Инвентаризация:

3589 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12900639
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

FQI16N25CTU Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Tube
Серия
QFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
250 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
15.6A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
270mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
53.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1080 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.13W (Ta), 139W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-262 (I2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
417
Другие названия
2156-FQI16N25CTU-FS
FAIFSCFQI16N25CTU

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
littelfuse

IXTP102N15T

MOSFET N-CH 150V 102A TO-220

taiwan-semiconductor

TSM70N380CI C0G

MOSFET N-CH 700V 11A ITO220AB

taiwan-semiconductor

TSM3N90CP ROG

MOSFET N-CH 900V 2.5A TO252

diodes

DMN2230UQ-13

MOSFET N-CH 20V 2A SOT23