Производитель Номер продукта:
FQI5N60CTU
Product Overview
Производитель:
Fairchild Semiconductor
Номер детали:
FQI5N60CTU-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAK
Подробное описание:
N-Channel 600 V 4.5A (Tc) 3.13W (Ta), 100W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Инвентаризация:
34688 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12946771
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FQI5N60CTU Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
QFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.5Ohm @ 2.25A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
670 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.13W (Ta), 100W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-262 (I2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
350
Другие названия
2156-FQI5N60CTU
FAIFSCFQI5N60CTU
Классификация окружающей среды и экспорта
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8542.39.0001
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FQP3P20
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
FQA44N30
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
FDP16AN08A0
MOSFET N-CH 75V 9A/58A TO220-3