Производитель Номер продукта:
FQI7N60TU
Product Overview
Производитель:
Fairchild Semiconductor
Номер детали:
FQI7N60TU-DG
Описание:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Подробное описание:
N-Channel 600 V 7.4A (Tc) 3.13W (Ta), 142W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Инвентаризация:
1000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12947534
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FQI7N60TU Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
QFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
7.4A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1Ohm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1430 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.13W (Ta), 142W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
I2PAK (TO-262)
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Базовый номер продукта
FQI7N60
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
210
Другие названия
2156-FQI7N60TU
ONSONSFQI7N60TU
Классификация окружающей среды и экспорта
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NX3008NBKMB315
NOW NEXPERIA NX3008NBKMB SMALL S
CMS10P10D-HF
MOSFET P-CH 100V 10A DPAK
NTMFD001N03P9
POWER MOSFET, N-CHANNEL POWERTRE
