FQP3N60C
Производитель Номер продукта:

FQP3N60C

Product Overview

Производитель:

Fairchild Semiconductor

Номер детали:

FQP3N60C-DG

Описание:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Подробное описание:
N-Channel 600 V 3A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220-3

Инвентаризация:

12946498
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

FQP3N60C Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
-
Серия
QFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.4Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
565 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
75W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3

Дополнительная информация

Стандартный пакет
467
Другие названия
2156-FQP3N60C
ONSFSCFQP3N60C

Классификация окружающей среды и экспорта

ECCN
EAR99
ХИТСУС
8542.39.0001
Сертификация DIGI
Связанные продукты
fairchild-semiconductor

FDP8440

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FQP13N06L

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FDD6N25TM

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4

fairchild-semiconductor

FDD6680AS

MOSFET N-CH 30V 55A TO252