Производитель Номер продукта:
FQPF13N50C
Product Overview
Производитель:
Fairchild Semiconductor
Номер детали:
FQPF13N50C-DG
Описание:
QFC 500V 480MOHM TO220F
Подробное описание:
N-Channel 500 V 13A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220F
Инвентаризация:
17000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12940925
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FQPF13N50C Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Tube
Серия
QFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
480mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2055 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
48W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220F
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
FQPF1
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
232
Другие названия
2156-FQPF13N50C
ONSFSCFQPF13N50C
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
0000.00.0000
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIHP068N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 41A TO220AB
FS50KM-2#E52
DISCRETE / POWER MOSFET
SIHG186N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 8.4A TO247AC
