FQPF2N80YDTU
Производитель Номер продукта:

FQPF2N80YDTU

Product Overview

Производитель:

Fairchild Semiconductor

Номер детали:

FQPF2N80YDTU-DG

Описание:

MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F-3
Подробное описание:
N-Channel 800 V 1.5A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)

Инвентаризация:

425 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12986121
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

FQPF2N80YDTU Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
QFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6.3Ohm @ 750mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
550 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
35W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220F-3 (Y-Forming)
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
263
Другие названия
2156-FQPF2N80YDTU
FAIFSCFQPF2N80YDTU

Классификация окружающей среды и экспорта

ECCN
EAR99
ХИТСУС
8542.39.0001
Сертификация DIGI
Связанные продукты
nexperia

BUK4D16-20X

SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI

vishay-siliconix

SI3443DDV-T1-BE3

P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

goford-semiconductor

G26P04K

MOSFET P-CH 40V 26A TO-252

micro-commercial-components

MCACD40N03-TP

N-CHANNEL MOSFET, DFN5060