FQPF9N50YDTU
Производитель Номер продукта:

FQPF9N50YDTU

Product Overview

Производитель:

Fairchild Semiconductor

Номер детали:

FQPF9N50YDTU-DG

Описание:

MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220F-3
Подробное описание:
N-Channel 500 V 5.3A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)

Инвентаризация:

24800 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12905726
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

FQPF9N50YDTU Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Tube
Серия
QFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
5.3A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
730mOhm @ 2.65A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1450 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
50W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220F-3 (Y-Forming)
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
314
Другие названия
2156-FQPF9N50YDTU-FS
FAIFSCFQPF9N50YDTU

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
nexperia

BSS192,115

MOSFET P-CH 240V 200MA SOT89

vishay-siliconix

IRFR020PBF

MOSFET N-CH 60V 14A DPAK

vishay-siliconix

IRF840LCLPBF

MOSFET N-CH 500V 8A I2PAK

littelfuse

IXFP12N65X2

MOSFET N-CH 650V 12A TO220AB