Производитель Номер продукта:
HUF75829D3
Product Overview
Производитель:
Fairchild Semiconductor
Номер детали:
HUF75829D3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 150V 18A IPAK
Подробное описание:
N-Channel 150 V 18A (Tc) 110W (Tc) Through Hole IPAK
Инвентаризация:
4067 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12900511
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
HUF75829D3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Tube
Серия
UltraFET™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
150 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
110mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
70 nC @ 20 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1080 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
110W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
IPAK
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
567
Другие названия
2156-HUF75829D3-FS
FAIFSCHUF75829D3
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TSM210N02CX RFG
MOSFET N-CHANNEL 20V 6.7A SOT23
DMP21D5UFD-7
MOSFET P-CH 20V 600MA 3DFN
TSM2N100CH C5G
MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO251
