Производитель Номер продукта:
HUF75925P3
Product Overview
Производитель:
Fairchild Semiconductor
Номер детали:
HUF75925P3-DG
Описание:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Подробное описание:
N-Channel 200 V 11A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220-3
Инвентаризация:
2400 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12933515
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
HUF75925P3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
UltraFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
275mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
78 nC @ 20 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1030 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
100W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
360
Другие названия
FAIFSCHUF75925P3
2156-HUF75925P3
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
2SK1315L-E
N-CHANNEL POWER MOSFET
FDB6670S
N-CHANNEL POWER MOSFET
IRF613
N-CHANNEL POWER MOSFET
