Производитель Номер продукта:
HUFA75307T3ST
Product Overview
Производитель:
Fairchild Semiconductor
Номер детали:
HUFA75307T3ST-DG
Описание:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Подробное описание:
N-Channel 55 V 2.6A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
Инвентаризация:
25068 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12947261
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
HUFA75307T3ST Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
UltraFET™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
55 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.6A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
90mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
17 nC @ 20 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
250 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.1W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-223-4
Упаковка / Чехол
TO-261-4, TO-261AA
Базовый номер продукта
HUFA75307
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,210
Другие названия
FAIFSCHUFA75307T3ST
2156-HUFA75307T3ST
Классификация окружающей среды и экспорта
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8542.39.0001
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FQPF11N50CF
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FDD8878
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
FQPF10N50CF
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
