IRFI630BTU
Производитель Номер продукта:

IRFI630BTU

Product Overview

Производитель:

Fairchild Semiconductor

Номер детали:

IRFI630BTU-DG

Описание:

N-CHANNEL POWER MOSFET
Подробное описание:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 3.13W (Ta), 72W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Инвентаризация:

3453 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12934307
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IRFI630BTU Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
400mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
720 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.13W (Ta), 72W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-262 (I2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
1,210
Другие названия
2156-IRFI630BTU
FAIFSCIRFI630BTU

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
renesas-electronics-america

4AM17-91

POWER N AND P CHANNEL MOSFETS

harris-corporation

IRFR121

N-CHANNEL POWER MOSFET

renesas-electronics-america

2SK3230C-T1-A

N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET

harris-corporation

IRF543

N-CHANNEL POWER MOSFET