Производитель Номер продукта:
IRFS640A
Product Overview
Производитель:
Fairchild Semiconductor
Номер детали:
IRFS640A-DG
Описание:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Подробное описание:
N-Channel 200 V 9.8A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-220F
Инвентаризация:
2576 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12932212
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRFS640A Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
9.8A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
180mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1500 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
43W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220F
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
606
Другие названия
2156-IRFS640A
FAIFSCIRFS640A
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDB6021P
MOSFET P-CH 20V 28A TO263AB
2SK3326(9)AZ
DISCRETE / POWER MOSFET
IRFU221
N-CHANNEL POWER MOSFET
