IRFW730BTM
Производитель Номер продукта:

IRFW730BTM

Product Overview

Производитель:

Fairchild Semiconductor

Номер детали:

IRFW730BTM-DG

Описание:

N-CHANNEL POWER MOSFET
Подробное описание:
N-Channel 400 V 5.5A (Tc) 3.13W (Ta), 73W (Tc) Surface Mount D2PAK

Инвентаризация:

12957 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12931786
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IRFW730BTM Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
400 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1Ohm @ 2.75A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1000 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.13W (Ta), 73W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
D2PAK
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
468
Другие названия
FAIFSCIRFW730BTM
2156-IRFW730BTM

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

2SK1447LS

N-CHANNEL SILICON MOSFET

fairchild-semiconductor

IRFW720BTMNL

N-CHANNEL POWER MOSFET

onsemi

2SK2378

N-CHANNEL POWER MOSFET

fairchild-semiconductor

IRFW720BTM

N-CHANNEL POWER MOSFET