KSB1151YS
Производитель Номер продукта:

KSB1151YS

Product Overview

Производитель:

Fairchild Semiconductor

Номер детали:

KSB1151YS-DG

Описание:

POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 5A, 60
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 5 A 1.3 W Through Hole TO-126-3

Инвентаризация:

1820 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12946757
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

KSB1151YS Технические характеристики

Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
PNP
Ток - коллектор (IC) (макс.)
5 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
60 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
300mV @ 200mA, 2A
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
10µA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
100 @ 2A, 1V
Мощность - Макс
1.3 W
Частота - переход
-
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
TO-225AA, TO-126-3
Комплект устройства поставщика
TO-126-3

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
843
Другие названия
2156-KSB1151YS
FAIFSCKSB1151YS

Классификация окружающей среды и экспорта

ХИТСУС
0000.00.0000
Сертификация DIGI
Связанные продукты
fairchild-semiconductor

KSC1008CYTA

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,

fairchild-semiconductor

KSA916YTA

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,

fairchild-semiconductor

KSB1015YTU

POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 3A, 60

nxp-semiconductors

BC846BW/ZL,135

BC846 - 65V, 100MA NPN GENERAL-P