Производитель Номер продукта:
SSP2N60B
Product Overview
Производитель:
Fairchild Semiconductor
Номер детали:
SSP2N60B-DG
Описание:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Подробное описание:
N-Channel 600 V 2A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220
Инвентаризация:
372000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12938621
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SSP2N60B Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
490 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
54W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,664
Другие названия
FAIFSCSSP2N60B
2156-SSP2N60B
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SSP1N60B
N-CHANNEL POWER MOSFET
MTD3N25E
N-CHANNEL POWER MOSFET
NP22N055HLE-AY
N-CHANNEL POWER MOSFET