Производитель Номер продукта:
GPI65005DF
Product Overview
Производитель:
GaNPower
Номер детали:
GPI65005DF-DG
Описание:
GANFET N-CH 650V 5A DFN 5X6
Подробное описание:
N-Channel 650 V 5A Surface Mount Die
Инвентаризация:
167 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12972698
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
lAEF
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
GPI65005DF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
GaNPower
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
5A
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.4V @ 1.75mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
2.6 nC @ 6 V
Vgs (макс.)
+7.5V, -12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
45 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
-
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
Die
Упаковка / Чехол
Die
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1
Другие названия
4025-GPI65005DFTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
Not applicable
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Vendor Undefined
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
PJD2NA90_L2_00001
900V N-CHANNEL MOSFET
PJF12NA60_T0_00001
600V N-CHANNEL MOSFET
FDP075N15A-F032
MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3
