GPI90007DF88
Производитель Номер продукта:

GPI90007DF88

Product Overview

Производитель:

GaNPower

Номер детали:

GPI90007DF88-DG

Описание:

GaNFET N-CH 900V 7A DFN8x8
Подробное описание:
N-Channel 900 V 7A Surface Mount 8-DFN (8x8)

Инвентаризация:

665 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13243260
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

GPI90007DF88 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
GaNPower
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
900 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
7A
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V
Rds On (макс.) @ id, vgs
225mOhm @ 1.4A, 6V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.2V @ 3.5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
2.1 nC @ 6 V
Vgs (макс.)
+7.5V, -12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
60 pF @ 400 V
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-DFN (8x8)
Упаковка / Чехол
8-DFN

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
1
Другие названия
4025-GPI90007DF88TR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
3A001
ХИТСУС
8541.49.7500
Сертификация DIGI
Связанные продукты
ganpower

GPI90005DF88

GaNFET N-CH 900V 5A DFN8x8

nuvoton-technology-corporation-america

FK4B01120LE

SINGLE NCH MOSFET, 12V, 3.9A 17M

nuvoton-technology-corporation-america

FK4B01100L

SINGLE NCH MOSFET 12V, 3.4A, 27M

nuvoton-technology-corporation-america

FK4B01110LE

SINGLE NCH MOSFET 12V, 2.3A 57MO