Производитель Номер продукта:
G3R160MT17D
Product Overview
Производитель:
GeneSiC Semiconductor
Номер детали:
G3R160MT17D-DG
Описание:
SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3
Подробное описание:
N-Channel 1700 V 21A (Tc) 175W (Tc) Through Hole TO-247-3
Инвентаризация:
1098 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12977914
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
G3R160MT17D Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
GeneSiC Semiconductor
Упаковка
Tube
Серия
G3R™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1700 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
15V
Rds On (макс.) @ id, vgs
208mOhm @ 12A, 15V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.7V @ 5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
51 nC @ 15 V
Vgs (макс.)
±15V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1272 pF @ 1000 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
175W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247-3
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
G3R160
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
1242-G3R160MT17D
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
MCG50P03-TP
P-CHANNEL MOSFET,DFN3333
SI1416EDH-T1-BE3
MOSFET N-CH 30V 3.9A/3.9A SC70-6
SIRA74DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 24A/81.2A PPAK
