Производитель Номер продукта:
G3R30MT12J
Product Overview
Производитель:
GeneSiC Semiconductor
Номер детали:
G3R30MT12J-DG
Описание:
SIC MOSFET N-CH 96A TO263-7
Подробное описание:
N-Channel 1200 V 96A (Tc) 459W (Tc) Surface Mount TO-263-7
Инвентаризация:
68 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12945351
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
G3R30MT12J Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
GeneSiC Semiconductor
Упаковка
Tube
Серия
G3R™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
96A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
15V
Rds On (макс.) @ id, vgs
36mOhm @ 50A, 15V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.69V @ 12mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
155 nC @ 15 V
Vgs (макс.)
±15V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3901 pF @ 800 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
459W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263-7
Упаковка / Чехол
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Базовый номер продукта
G3R30
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
1242-G3R30MT12J
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
G3R30MT12K
SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4
G3R45MT17K
SIC MOSFET N-CH 61A TO247-4
G3R20MT17N
SIC MOSFET N-CH 100A SOT227
