Производитель Номер продукта:
G3R40MT12D
Product Overview
Производитель:
GeneSiC Semiconductor
Номер детали:
G3R40MT12D-DG
Описание:
SIC MOSFET N-CH 71A TO247-3
Подробное описание:
N-Channel 1200 V 71A (Tc) 333W (Tc) Through Hole TO-247-3
Инвентаризация:
1725 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12945381
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
G3R40MT12D Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
GeneSiC Semiconductor
Упаковка
Tube
Серия
G3R™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
71A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
15V
Rds On (макс.) @ id, vgs
48mOhm @ 35A, 15V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.69V @ 10mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
106 nC @ 15 V
Vgs (макс.)
±15V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2929 pF @ 800 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
333W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247-3
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
G3R40
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
1242-G3R40MT12D
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
G2R120MT33J
SIC MOSFET N-CH TO263-7
SSM6K517NU,LF
MOSFET N-CH 30V 6A 6UDFNB
STFW24NM60N
MOSFET N-CH 600V TO-3PH
