Производитель Номер продукта:
G3R60MT07J
Product Overview
Производитель:
GeneSiC Semiconductor
Номер детали:
G3R60MT07J-DG
Описание:
750V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
Подробное описание:
750 V Surface Mount TO-263-7
Инвентаризация:
1348 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12958791
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
G3R60MT07J Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
GeneSiC Semiconductor
Упаковка
Tube
Серия
G3R™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
-
Технологии
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
750 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
-
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
-
Rds On (макс.) @ id, vgs
-
Vgs(th) (Макс) @ Id
-
Vgs (макс.)
+20V, -10V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
-
Рабочая температура
-
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263-7
Упаковка / Чехол
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
1242-G3R60MT07J
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPTG007N06NM5ATMA1
MOSFET N-CH 60V 53A/454A HSOG-8
SIR876BDP-T1-RE3
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW
IPTC015N10NM5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 35A/354A HDSOP
