Производитель Номер продукта:
G3R75MT12J-TR
Product Overview
Производитель:
GeneSiC Semiconductor
Номер детали:
G3R75MT12J-TR-DG
Описание:
1200V 75M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
Подробное описание:
N-Channel 1200 V 38A (Tc) 196W (Tc) Surface Mount TO-263-7
Инвентаризация:
2863 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13239983
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
G3R75MT12J-TR Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
GeneSiC Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
G3R™, LoRing™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
38A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
15V, 18V
Rds On (макс.) @ id, vgs
85mOhm @ 20A, 18V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.7V @ 10mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
47 nC @ 15 V
Vgs (макс.)
+22V, -10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1545 pF @ 800 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
196W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263-7
Упаковка / Чехол
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
800
Другие названия
1242-G3R75MT12J-TRDKR
1242-G3R75MT12J-TR
1242-G3R75MT12J-TRCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
G2R1000MT17J-TR
1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
G2R120MT33J-TR
3300V 120M TO-263-7 G2R SIC MOSF
PJD75P04E-AU_L2_006A1
40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
