Производитель Номер продукта:
GCMS080B120S1-E1
Product Overview
Производитель:
SemiQ
Номер детали:
GCMS080B120S1-E1-DG
Описание:
SIC 1200V 80M MOSFET & 10A SBD S
Подробное описание:
N-Channel 1200 V 30A (Tc) 142W (Tc) Chassis Mount SOT-227
Инвентаризация:
60 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12979057
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
GCMS080B120S1-E1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
SemiQ
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
20V
Rds On (макс.) @ id, vgs
100mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 10mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
58 nC @ 20 V
Vgs (макс.)
+25V, -10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1374 pF @ 1000 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
142W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Chassis Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-227
Упаковка / Чехол
SOT-227-4, miniBLOC
Базовый номер продукта
GCMS080
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
10
Другие названия
1560-GCMS080B120S1-E1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMP10H088SPS-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
DMT64M8LSS-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2
DMTH15H017SPS-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
