GCMX040B120S1-E1
Производитель Номер продукта:

GCMX040B120S1-E1

Product Overview

Производитель:

SemiQ

Номер детали:

GCMX040B120S1-E1-DG

Описание:

SIC 1200V 40M MOSFET SOT-227
Подробное описание:
N-Channel 1200 V 57A (Tc) 242W (Tc) Chassis Mount SOT-227

Инвентаризация:

80 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13311494
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

GCMX040B120S1-E1 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
SemiQ
Упаковка
Tube
Серия
-
Упаковка
Tube
Состояние детали
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
57A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
20V
Rds On (макс.) @ id, vgs
52mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 10mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
121 nC @ 20 V
Vgs (макс.)
+25V, -10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3185 pF @ 1000 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
242W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Chassis Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-227
Упаковка / Чехол
SOT-227-4, miniBLOC
Базовый номер продукта
GCMX040

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
10
Другие названия
1560-GCMX040B120S1-E1

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты