Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
GCMX080B120S1-E1
Product Overview
Производитель:
SemiQ
Номер детали:
GCMX080B120S1-E1-DG
Описание:
SIC 1200V 80M MOSFET SOT-227
Подробное описание:
N-Channel 1200 V 30A (Tc) 142W (Tc) Chassis Mount SOT-227
Инвентаризация:
60 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12980096
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
GCMX080B120S1-E1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
SemiQ
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
20V
Rds On (макс.) @ id, vgs
100mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 10mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
58 nC @ 20 V
Vgs (макс.)
+25V, -10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1336 pF @ 1000 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
142W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Chassis Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-227
Упаковка / Чехол
SOT-227-4, miniBLOC
Базовый номер продукта
GCMX080
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
GCMX080B120S1-E1
HTML Спецификация
GCMX080B120S1-E1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
10
Другие названия
1560-GCMX080B120S1-E1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IAUC120N04S6L005ATMA1
IAUC120N04S6L005ATMA1
IRFSL7537PBF
MOSFET N-CH 60V 173A TO262
FCPF190N60-F154
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220F-3
FCH170N60
MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3