Производитель Номер продукта:
2301
Product Overview
Производитель:
Goford Semiconductor
Номер детали:
2301-DG
Описание:
P20V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<8
Подробное описание:
P-Channel 20 V 3A (Tc) 1W (Tc) Surface Mount SOT-23
Инвентаризация:
14119 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12972906
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
2301 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Goford Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
56mOhm @ 1.7A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
900mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
12 nC @ 2.5 V
Vgs (макс.)
±10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
405 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
Standard
Рассеиваемая мощность (макс.)
1W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-23
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технический паспорт и документы
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
4822-2301TR
3141-2301DKR
3141-2301CT
3141-2301TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
PJL9421_R2_00001
40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
SIR574DP-T1-RE3
N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
PMPB95ENEA/FX
NEXPERIA PMPB95ENEA - 80 V, SING
