G1003A
Производитель Номер продукта:

G1003A

Product Overview

Производитель:

Goford Semiconductor

Номер детали:

G1003A-DG

Описание:

N100V,RD(MAX)<210M@10V,RD(MAX)<2
Подробное описание:
N-Channel 100 V 3A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3

Инвентаризация:

3031 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12974823
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

G1003A Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Goford Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
210mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
18.2 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
622 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
Standard
Рассеиваемая мощность (макс.)
5W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-23-3
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
4822-G1003ATR
3141-G1003ACT
3141-G1003ATR
3141-G1003ADKR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
taiwan-semiconductor

TSM500N15CS RLG

150V, 11A, SINGLE N-CHANNEL POWE

goford-semiconductor

G1003A

MOSFET N-CH ESD 100V 1.7A SOT-23

panjit

PJQ5411_R2_00001

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

rohm-semi

R6576ENZ4C13

650V 76A TO-247, LOW-NOISE POWER