Производитель Номер продукта:
G100N03D5
Product Overview
Производитель:
Goford Semiconductor
Номер детали:
G100N03D5-DG
Описание:
N-CH, 30V, 100A, RD(MAX)<3.5M@10
Подробное описание:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount 8-DFN (4.9x5.75)
Инвентаризация:
4895 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12987514
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
G100N03D5 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Goford Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5595 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
Standard
Рассеиваемая мощность (макс.)
50W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-DFN (4.9x5.75)
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
3141-G100N03D5TR
4822-G100N03D5TR
3141-G100N03D5CT
3141-G100N03D5DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
MSC040SMA120S/TR
MOSFET SIC 1200 V 40 MOHM TO-268
IAUA250N04S6N005AUMA1
OPTIMOS POWER MOSFET
G08N06S
N60V, RD(MAX)<30M@10V,RD(MAX)<40
