Производитель Номер продукта:
G10N10A
Product Overview
Производитель:
Goford Semiconductor
Номер детали:
G10N10A-DG
Описание:
N100V,RD(MAX)130MOHM@10V,TO-252
Подробное описание:
N-Channel 100 V 10A (Tc) 28W (Tc) Surface Mount TO-252
Инвентаризация:
4794 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12986870
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
G10N10A Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Goford Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
130mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
690 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
Standard
Рассеиваемая мощность (макс.)
28W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
4822-G10N10ATR
3141-G10N10ADKR
3141-G10N10ACT
3141-G10N10ATR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SQD15N06-42L_T4GE3
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
G15N06K
N-CH, 60V,15A,RD(MAX)<45M@10V,RD
MCAC38N10YA-TP
N-CHANNEL MOSFET, DFN5060
