G120N03D32
Производитель Номер продукта:

G120N03D32

Product Overview

Производитель:

Goford Semiconductor

Номер детали:

G120N03D32-DG

Описание:

MOSFET 2N-CH 30V 28A 8DFN
Подробное описание:
Mosfet Array 30V 28A (Tc) 20W (Tc) Surface Mount 8-DFN (3.15x3.05)

Инвентаризация:

4995 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12787877
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

G120N03D32 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Goford Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel
Функция полевых транзисторов
Standard
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
12mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
18nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1089pF @ 15V
Мощность - Макс
20W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Комплект устройства поставщика
8-DFN (3.15x3.05)

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
5,000
Другие названия
3141-G120N03D32CT
3141-G120N03D32TR
3141-G120N03D32DKR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
RoHS Compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0000
Сертификация DIGI
Связанные продукты
wise-integration

WI62195

GANFET 2P-CH 750V 9A 14QFN

rohm-semi

HT8KE5TB1

MOSFET 2N-CH 100V 2.5A/7A 8HSMT

rohm-semi

HP8KE7TB1

MOSFET 2N-CH 100V 10A/24A 8HSOP

rohm-semi

HP8ME5TB1

MOSFET N/P-CH 100V 3A/8.5A 8HSOP