Производитель Номер продукта:
G16P03D3
Product Overview
Производитель:
Goford Semiconductor
Номер детали:
G16P03D3-DG
Описание:
P30V,RD(MAX)<12M@-10V,RD(MAX)<18
Подробное описание:
P-Channel 30 V 45A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount 8-DFN (3.15x3.05)
Инвентаризация:
9558 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12975166
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
G16P03D3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Goford Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
45A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
12mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1995 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
Standard
Рассеиваемая мощность (макс.)
55W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-DFN (3.15x3.05)
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
3141-G16P03D3CT
3141-G16P03D3TR
4822-G16P03D3TR
3141-G16P03D3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DI010N03PW
MOSFET POWERQFN 2X2 N 30V 10A 0.
MCU80P06Y-TP
P-CHANNEL MOSFET,DPAK
FDN5630-B8
FET 60V 1.0 MOHM SSOT3
