Производитель Номер продукта:
G2003A
Product Overview
Производитель:
Goford Semiconductor
Номер детали:
G2003A-DG
Описание:
N190V, 3A,RD<540M@10V,VTH1.0V~3.
Подробное описание:
N-Channel 190 V 3A (Tc) 1.8W (Tc) Surface Mount SOT-23-3
Инвентаризация:
3043 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13002051
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
G2003A Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Goford Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
190 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
540mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
580 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
Standard
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.8W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-23-3
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
4822-G2003ATR
3141-G2003ACT
3141-G2003ATR
3141-G2003ADKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
MSJW20N65A-BP
MOSFET N-CH TO247
SIHK185N60EF-T1GE3
EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
SI3134KLA-TP
MOSFET N-CHANNEL MOSFET
