Производитель Номер продукта:
G2K3N10H
Product Overview
Производитель:
Goford Semiconductor
Номер детали:
G2K3N10H-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 2A SOT-223
Подробное описание:
N-Channel 2A (Tc) 2.4W (Tc) Surface Mount SOT-223
Инвентаризация:
12989236
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
G2K3N10H Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Goford Semiconductor
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
220mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA
Vgs (макс.)
±20V
Функция полевых транзисторов
Standard
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.4W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-223
Упаковка / Чехол
TO-261-4, TO-261AA
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
4822-G2K3N10HTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
G2K3N10H
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Goford Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2265
Номер части
G2K3N10H-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.07
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
MSJPF08N90A-BP
N-CHANNEL MOSFET,TO-220F
S2M0040120K
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
IMT65R260M1HXUMA1
SILICON CARBIDE MOSFET
