Производитель Номер продукта:
G2K8P15K
Product Overview
Производитель:
Goford Semiconductor
Номер детали:
G2K8P15K-DG
Описание:
P-150V,-12A,RD(MAX)<310M@-10V,VT
Подробное описание:
P-Channel 150 V 12A (Tc) 59W (Tc) Surface Mount TO-252
Инвентаризация:
2440 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12997614
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
G2K8P15K Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Goford Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
150 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
310mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
953 pF @ 75 V
Функция полевых транзисторов
Standard
Рассеиваемая мощность (макс.)
59W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
3141-G2K8P15KDKR
3141-G2K8P15KTR
4822-G2K8P15KTR
3141-G2K8P15KCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
G2K8P15K
MOSFET P-CH 150V 12A TO-252
G1007
N100V,7A,RD<110M@10V,VTH1.0V~3.0
G5N02L
N20V, 5A, RD<18M@10V,VTH0.4V~1.0
